Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Интегрални схеми (интегрални схеми) > памет > TH58NYG2S3HBAI4
TH58NYG2S3HBAI4
Номер на частта:
TH58NYG2S3HBAI4
Производител:
Toshiba Memory America, Inc.
описание:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
71970 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
TH58NYG2S3HBAI4.pdf
Разследване

Въведение

TH58NYG2S3HBAI4 най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за TH58NYG2S3HBAI4, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за TH58NYG2S3HBAI4 по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Пишете време за цикъл - Word, Page:25ns
Напрежение - Доставка:1.7 V ~ 1.95 V
технология:FLASH - NAND (SLC)
Пакет на доставчик на устройства:63-TFBGA (9x11)
серия:-
Пакет / касета:63-VFBGA
Работна температура:-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтаж:Surface Mount
Тип памет:Non-Volatile
Размер на паметта:4Gb (512M x 8)
Интерфейс на паметта:-
Формат на паметта:FLASH
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Подробно описание:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за TH58NYG2S3HBAI4

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
TH58BYG2S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. 4G SLC NAND BGA 24NM Разследване
TH58BVG3S0HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE Разследване
TH58BVG2S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE Разследване
TH58BVG3S0HTA00 Image TH58BVG3S0HTA00 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I Разследване
TH58NYG3S0HBAI6 Image TH58NYG3S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA Разследване
TH58BVG2S3HTA00 Image TH58BVG2S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Разследване
TH58NVG5S0FTA20 Image TH58NVG5S0FTA20 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I Разследване
TH58BYG3S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V Разследване
TH58NVG2S3HTAI0 Image TH58NVG2S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Разследване
TH5E106K021A1000 Image TH5E106K021A1000 Electro-Films (EFI) / Vishay CAP TANT 10UF 21V 10% 2917 Разследване
TH58NVG5S0FTAK0 Toshiba Memory America, Inc. 32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM Разследване
TH58NVG3S0HTA00 Image TH58NVG3S0HTA00 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I Разследване
TH58NVG4S0HTAK0 Image TH58NVG4S0HTAK0 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I Разследване
TH58BYG2S3HBAI6 Image TH58BYG2S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA Разследване
TH58NVG3S0HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V Разследване
TH58NVG2S3HTA00 Image TH58NVG2S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Разследване
TH58NVG4S0FTA20 Image TH58NVG4S0FTA20 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I Разследване
TH58NVG4S0HTA20 Image TH58NVG4S0HTA20 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I Разследване
TH58BVG2S3HTAI0 Image TH58BVG2S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Разследване
TH58NVG3S0HTAI0 Image TH58NVG3S0HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I Разследване

Latest News