TH58NYG2S3HBAI4
部品型番:
TH58NYG2S3HBAI4
メーカー:
Toshiba Memory America, Inc.
説明:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
71970 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
TH58NYG2S3HBAI4.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:25ns
電源電圧 - :1.7 V ~ 1.95 V
技術:FLASH - NAND (SLC)
サプライヤデバイスパッケージ:63-TFBGA (9x11)
シリーズ:-
パッケージ/ケース:63-VFBGA
運転温度:-40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ:Surface Mount
メモリタイプ:Non-Volatile
記憶容量:4Gb (512M x 8)
メモリインタフェース:-
メモリ形式:FLASH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:[email protected]

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