SIR880ADP-T1-GE3
SIR880ADP-T1-GE3
Modèle de produit:
SIR880ADP-T1-GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
55919 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SIR880ADP-T1-GE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerPAK® SO-8
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.3 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):5.4W (Ta), 83W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:PowerPAK® SO-8
Autres noms:SIR880ADP-T1-GE3TR
SIR880ADPT1GE3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2289pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):80V
Description détaillée:N-Channel 80V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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