SIR878BDP-T1-RE3
SIR878BDP-T1-RE3
Modèle de produit:
SIR878BDP-T1-RE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
56009 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SIR878BDP-T1-RE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerPAK® SO-8
Séries:TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:14.4 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max):5W (Ta), 62.5W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:PowerPAK® SO-8
Autres noms:SIR878BDP-T1-RE3TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):7.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 12A (Ta), 42.5A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12A (Ta), 42.5A (Tc)
Email:[email protected]

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