SIR880ADP-T1-GE3
SIR880ADP-T1-GE3
Varenummer:
SIR880ADP-T1-GE3
Fabrikant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / RoHS-kompatibel
Antal:
55919 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Datablad:
SIR880ADP-T1-GE3.pdf

Introduktion

SIR880ADP-T1-GE3 bedste pris og hurtig levering.
BOSER Technology er distributør for SIR880ADP-T1-GE3, vi har bestande til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan for SIR880ADP-T1-GE3 via e-mail, vi vil give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Vores email: [email protected]

specifikationer

Tilstand New and Original
Oprindelse Contact us
Distributør Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.3 mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max):5.4W (Ta), 83W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:PowerPAK® SO-8
Andre navne:SIR880ADP-T1-GE3TR
SIR880ADPT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Blyfri Status / RoHS Status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:2289pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On):4.5V, 10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):80V
Detaljeret beskrivelse:N-Channel 80V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer