| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Puissance - Max: | 2.8W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | SI4200DY-T1-GE3-ND SI4200DY-T1-GE3TR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 415pF @ 13V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 25V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 8A |
| Email: | [email protected] |
