RN2117(T5L,F,T)
RN2117(T5L,F,T)
Modèle de produit:
RN2117(T5L,F,T)
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
55729 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
RN2117(T5L,F,T).pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SSM
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):4.7 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:100mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-75, SOT-416
Autres noms:RN2117(T5LFT)TR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:200MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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