RN2112ACT(TPL3)
RN2112ACT(TPL3)
Modèle de produit:
RN2112ACT(TPL3)
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
68626 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
RN2112ACT(TPL3).pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):80mA
Tension - Ventilation:CST3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:50V
Séries:-
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):22k
Resistor - Base (R1) (Ohms):-
Puissance - Max:100mW
Polarisation:SC-101, SOT-883
Autres noms:RN2112ACT(TPL3)TR
Noise Figure (dB Typ @ f):-
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:RN2112ACT(TPL3)
Fréquence - Transition:120 @ 1mA, 5V
Description élargie:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
La description:TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100nA (ICBO)
Courant - Collecteur Cutoff (Max):150mV @ 250µA, 5mA
Courant - Collecteur (Ic) (max):PNP - Pre-Biased
Email:[email protected]

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