RN2115MFV,L3F
Modèle de produit:
RN2115MFV,L3F
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
59927 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
RN2115MFV,L3F.pdf

introduction

RN2115MFV,L3F meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour RN2115MFV,L3F, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour RN2115MFV,L3F par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:VESM
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):2.2 kOhms
Puissance - Max:150mW
Package / Boîte:SOT-723
Autres noms:RN2115MFVL3F
Type de montage:Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes