RN1316,LF
RN1316,LF
Modèle de produit:
RN1316,LF
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
49972 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
RN1316,LF.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:USM
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):4.7 kOhms
Puissance - Max:100mW
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:SC-70, SOT-323
Autres noms:RN1316(TE85LF)DKR
RN1316(TE85LF)DKR-ND
RN1316LFDKR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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