RN1316,LF
RN1316,LF
Número de pieza:
RN1316,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
49972 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
RN1316,LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:USM
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potencia - Max:100mW
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Otros nombres:RN1316(TE85LF)DKR
RN1316(TE85LF)DKR-ND
RN1316LFDKR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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