RN1309,LF
Número de pieza:
RN1309,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
70631 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
RN1309,LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:USM
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):22 kOhms
Resistor - Base (R1):47 kOhms
Potencia - Max:100mW
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Otros nombres:RN1309LF
Tipo de montaje:Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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