RN1316,LF
RN1316,LF
Modelo do Produto:
RN1316,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
49972 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
RN1316,LF.pdf

Introdução

RN1316,LF melhor preço e entrega rápida.
BOSER Technology é o distribuidor para RN1316,LF, temos as ações para o transporte imediato e também está disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor, envie-nos o seu plano de compra para RN1316,LF por e-mail, nós lhe daremos um melhor preço de acordo com o seu plano.
Nosso email: [email protected]

Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:USM
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Power - Max:100mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:RN1316(TE85LF)DKR
RN1316(TE85LF)DKR-ND
RN1316LFDKR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:250MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações