MMBFJ177LT1G
MMBFJ177LT1G
Modèle de produit:
MMBFJ177LT1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
81993 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MMBFJ177LT1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Cutoff (VGS off) @ Id:800mV @ 10nA
Tension - Ventilation (V (BR) ESG):30V
Package composant fournisseur:SOT-23-3 (TO-236)
Séries:-
Résistance - RDS (On):300 Ohms
Puissance - Max:225mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:MMBFJ177LT1GOSCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:11pF @ 10V (VGS)
type de FET:P-Channel
Description détaillée:JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0):1.5mA @ 15V
Numéro de pièce de base:MBFJ177
Email:[email protected]

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