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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - TECJ > MMBFJ177_G
MMBFJ177_G
Modèle de produit:
MMBFJ177_G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
INTEGRATED CIRCUIT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
51059 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MMBFJ177_G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Cutoff (VGS off) @ Id:800mV @ 10nA
Tension - Ventilation (V (BR) ESG):30V
Package composant fournisseur:SOT-23-3
Séries:-
Puissance - Max:225mW
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
type de FET:P-Channel
Description détaillée:JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3
Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0):1.5mA @ 15V
Numéro de pièce de base:MBFJ177
Email:[email protected]

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