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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-JFET > MMBFJ177_G
MMBFJ177_G
Modello di prodotti:
MMBFJ177_G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
INTEGRATED CIRCUIT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
51059 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MMBFJ177_G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id:800mV @ 10nA
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS):30V
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3
Serie:-
Potenza - Max:225mW
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Tipo FET:P-Channel
Descrizione dettagliata:JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0):1.5mA @ 15V
Numero di parte base:MBFJ177
Email:[email protected]

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