MMBFJ177LT1
MMBFJ177LT1
Modello di prodotti:
MMBFJ177LT1
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
65686 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MMBFJ177LT1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id:800mV @ 10nA
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS):30V
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Resistenza - RDS (on):300 Ohms
Potenza - Max:225mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:MMBFJ177LT1OSCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11pF @ 10V (VGS)
Tipo FET:P-Channel
Descrizione dettagliata:JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0):1.5mA @ 15V
Numero di parte base:MBFJ177
Email:[email protected]

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