MMBFJ177LT1G
MMBFJ177LT1G
Modelo do Produto:
MMBFJ177LT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
81993 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MMBFJ177LT1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Cutoff (VGS off) @ Id:800mV @ 10nA
Tensão - Breakdown (V (BR) GSS):30V
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:-
Resistência - RDS (on):300 Ohms
Power - Max:225mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:MMBFJ177LT1GOSCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:17 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11pF @ 10V (VGS)
Tipo FET:P-Channel
Descrição detalhada:JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Atual - Drenagem (Idss) @ Vds (Vgs = 0):1.5mA @ 15V
Número da peça base:MBFJ177
Email:[email protected]

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