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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - blogosferas > MMBFJ201_G
MMBFJ201_G
Modelo do Produto:
MMBFJ201_G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
INTEGRATED CIRCUIT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
60850 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MMBFJ201_G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Cutoff (VGS off) @ Id:300mV @ 10nA
Tensão - Breakdown (V (BR) GSS):40V
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3
Série:-
Power - Max:350mW
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Tipo FET:N-Channel
Descrição detalhada:JFET N-Channel 40V 350mW Surface Mount SOT-23-3
Atual - Drenagem (Idss) @ Vds (Vgs = 0):200µA @ 20V
Número da peça base:MBFJ201
Email:[email protected]

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