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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > JAN2N3960UB
JAN2N3960UB
Modèle de produit:
JAN2N3960UB
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS NPN 12V UB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
46938 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
JAN2N3960UB.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 3mA, 30mA
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:UB
Séries:Military, MIL-PRF-19500/399
Puissance - Max:400mW
Emballage:Bulk
Package / Boîte:3-SMD, No Lead
Autres noms:1086-20941
1086-20941-MIL
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 400mW Surface Mount UB
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 10mA, 1V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Email:[email protected]

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