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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > JAN2N3868S
JAN2N3868S
Modèle de produit:
JAN2N3868S
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS PNP 60V 0.003A TO39
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
54392 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
JAN2N3868S.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 250mA, 2.5A
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:TO-39 (TO-205AD)
Séries:Military, MIL-PRF-19500/350
Puissance - Max:1W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Autres noms:1086-20929
1086-20929-MIL
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:22 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 1.5A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):3mA
Email:[email protected]

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