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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > JAN2N3879
JAN2N3879
Modèle de produit:
JAN2N3879
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS NPN 75V 7A TO-66
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
62823 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
JAN2N3879.pdf
Enquête

introduction

JAN2N3879 meilleur prix et livraison rapide.
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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):75V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.2V @ 400mA, 4A
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-66 (TO-213AA)
Séries:Military, MIL-PRF-19500/526
Puissance - Max:35W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-213AA, TO-66-2
Autres noms:1086-20932
1086-20932-MIL
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 75V 7A 35W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 4A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):25mA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):7A
Email:[email protected]

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