| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Test: | 1066pF @ 10V |
| Tension - Ventilation: | Micro8™ |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Séries: | HEXFET® |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.3A |
| Puissance - Max: | 1.25W |
| Polarisation: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Autres noms: | IRF7555TRPBF-ND IRF7555TRPBFTR SP001565526 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | IRF7555TRPBF |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 15nC @ 5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2V @ 250µA |
| Fonction FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Description élargie: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.25W Surface Mount Micro8™ |
| Tension drain-source (Vdss): | Logic Level Gate |
| La description: | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
