| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Napětí - Test: | 1066pF @ 10V |
| Napětí - Rozdělení: | Micro8™ |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Série: | HEXFET® |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 4.3A |
| Power - Max: | 1.25W |
| Polarizace: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Ostatní jména: | IRF7555TRPBF-ND IRF7555TRPBFTR SP001565526 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | IRF7555TRPBF |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 15nC @ 5V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2V @ 250µA |
| FET Feature: | 2 P-Channel (Dual) |
| Rozšířený popis: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.25W Surface Mount Micro8™ |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | Logic Level Gate |
| Popis: | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
