| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - Prova: | 1066pF @ 10V |
| Tensione - Ripartizione: | Micro8™ |
| Vgs (th) (max) a Id: | 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Serie: | HEXFET® |
| Stato RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.3A |
| Potenza - Max: | 1.25W |
| Polarizzazione: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Altri nomi: | IRF7555TRPBF-ND IRF7555TRPBFTR SP001565526 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF7555TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 15nC @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.25W Surface Mount Micro8™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | Logic Level Gate |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
