IPB65R660CFDATMA1
IPB65R660CFDATMA1
Modèle de produit:
IPB65R660CFDATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 650V 6A TO263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
83954 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IPB65R660CFDATMA1.pdf

introduction

IPB65R660CFDATMA1 meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour IPB65R660CFDATMA1, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour IPB65R660CFDATMA1 par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 200µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
Séries:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:660 mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipation de puissance (max):62.5W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:IPB65R660CFD
IPB65R660CFD-ND
IPB65R660CFDATMA1-ND
IPB65R660CFDATMA1TR
IPB65R660CFDTR-ND
SP000861698
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:615pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes