IPB77N06S212ATMA2
IPB77N06S212ATMA2
Modèle de produit:
IPB77N06S212ATMA2
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
58729 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IPB77N06S212ATMA2.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 93µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO263-3-2
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.7 mOhm @ 38A, 10V
Dissipation de puissance (max):158W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:SP001061294
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1770pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):55V
Description détaillée:N-Channel 55V 77A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:77A (Tc)
Email:[email protected]

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