IPB65R660CFDATMA1
IPB65R660CFDATMA1
Artikelnummer:
IPB65R660CFDATMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 6A TO263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
83954 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IPB65R660CFDATMA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 200µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D²PAK (TO-263AB)
Serie:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:660 mOhm @ 2.1A, 10V
Verlustleistung (max):62.5W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:IPB65R660CFD
IPB65R660CFD-ND
IPB65R660CFDATMA1-ND
IPB65R660CFDATMA1TR
IPB65R660CFDTR-ND
SP000861698
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:615pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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