IPA180N10N3GXKSA1
IPA180N10N3GXKSA1
Modèle de produit:
IPA180N10N3GXKSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
41405 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IPA180N10N3GXKSA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 35µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO220FP
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 28A, 10V
Dissipation de puissance (max):30W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Autres noms:IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 28A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

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