IPA180N10N3GXKSA1
IPA180N10N3GXKSA1
Artikelnummer:
IPA180N10N3GXKSA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
41405 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IPA180N10N3GXKSA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 35µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TO220FP
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 28A, 10V
Verlustleistung (max):30W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3 Full Pack
Andere Namen:IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 100V 28A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220FP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

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