IPA180N10N3GXKSA1
IPA180N10N3GXKSA1
Número de pieza:
IPA180N10N3GXKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
41405 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
IPA180N10N3GXKSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 35µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO220FP
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:18 mOhm @ 28A, 10V
La disipación de energía (máximo):30W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:N-Channel 100V 28A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

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