FDMS0310S
FDMS0310S
Modèle de produit:
FDMS0310S
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 19A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
57106 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDMS0310S.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-PQFN (5x6)
Séries:PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta), 46W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:FDMS0310STR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2820pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 19A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:19A (Ta), 42A (Tc)
Email:[email protected]

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