FDMS0310S
FDMS0310S
Modelo do Produto:
FDMS0310S
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 19A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
57106 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDMS0310S.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PQFN (5x6)
Série:PowerTrench®, SyncFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4 mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 46W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:FDMS0310STR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2820pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 19A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:19A (Ta), 42A (Tc)
Email:[email protected]

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