FDMS1D4N03S
FDMS1D4N03S
Modèle de produit:
FDMS1D4N03S
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
72164 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDMS1D4N03S.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±16V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-PQFN (5x6), Power56
Séries:PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.09 mOhm @ 38A, 10V
Dissipation de puissance (max):74W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:FDMS1D4N03STR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:10250pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Schottky Diode (Body)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 211A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:211A (Tc)
Email:[email protected]

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