| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor Type: | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | EMT3 |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 10 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Puissance - Max: | 150mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-75, SOT-416 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 260MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 140 @ 100mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 200mA |
| Email: | [email protected] |
