| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 30V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| نوع الترانزستور: | PNP - Pre-Biased |
| تجار الأجهزة حزمة: | EMT3 |
| سلسلة: | - |
| المقاوم - قاعدة باعث (R2): | 10 kOhms |
| المقاوم - قاعدة (R1): | 2.2 kOhms |
| السلطة - ماكس: | 150mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-75, SOT-416 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 260MHz |
| وصف تفصيلي: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 140 @ 100mA, 2V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 500nA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 200mA |
| Email: | [email protected] |
