DTB513ZETL
DTB513ZETL
Modèle de produit:
DTB513ZETL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
43269 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.DTB513ZETL.pdf2.DTB513ZETL.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:EMT3
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):1 kOhms
Puissance - Max:150mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:SC-75, SOT-416
Autres noms:DTB513ZETLCT
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:260MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:140 @ 100mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Numéro de pièce de base:DTB513
Email:[email protected]

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