BSC093N04LSGATMA1
BSC093N04LSGATMA1
Modèle de produit:
BSC093N04LSGATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
59734 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BSC093N04LSGATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:1900pF @ 20V
Tension - Ventilation:PG-TDSON-8
Vgs (th) (Max) @ Id:9.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (Max):4.5V, 10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:OptiMOS™
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:13A (Ta), 49A (Tc)
Polarisation:8-PowerTDFN
Autres noms:BSC093N04LS G
BSC093N04LS G-ND
BSC093N04LS GTR
BSC093N04LS GTR-ND
BSC093N04LSG
SP000387929
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Référence fabricant:BSC093N04LSGATMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:24nC @ 10V
type de IGBT:±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2V @ 14µA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 40V 13A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:40V
Ratio de capacité:2.5W (Ta), 35W (Tc)
Email:[email protected]

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