BSC093N04LSGATMA1
BSC093N04LSGATMA1
Modelo do Produto:
BSC093N04LSGATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
59734 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
BSC093N04LSGATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Teste:1900pF @ 20V
Tensão - Breakdown:PG-TDSON-8
VGS (th) (Max) @ Id:9.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (Max):4.5V, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:OptiMOS™
Status de RoHS:Tape & Reel (TR)
RDS ON (Max) @ Id, VGS:13A (Ta), 49A (Tc)
Polarização:8-PowerTDFN
Outros nomes:BSC093N04LS G
BSC093N04LS G-ND
BSC093N04LS GTR
BSC093N04LS GTR-ND
BSC093N04LSG
SP000387929
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:BSC093N04LSGATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:24nC @ 10V
Tipo de IGBT:±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2V @ 14µA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 40V 13A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:40V
Rácio de capacitância:2.5W (Ta), 35W (Tc)
Email:[email protected]

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