| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 1900pF @ 20V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | PG-TDSON-8 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 9.3 mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (สูงสุด): | 4.5V, 10V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด: | OptiMOS™ |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 13A (Ta), 49A (Tc) |
| โพลาไรซ์: | 8-PowerTDFN |
| ชื่ออื่น: | BSC093N04LS G BSC093N04LS G-ND BSC093N04LS GTR BSC093N04LS GTR-ND BSC093N04LSG SP000387929 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BSC093N04LSGATMA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 24nC @ 10V |
| ประเภท IGBT: | ±20V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 2V @ 14µA |
| คุณสมบัติ FET: | N-Channel |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 40V 13A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | - |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 40V |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ: | 2.5W (Ta), 35W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
