| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Voltaje - Prueba: | 830pF @ 25V |
| Tensión - Desglose: | D-Pak |
| VGS (th) (Max) @Id: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | HEXFET® |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 13A (Tc) |
| Polarización: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRFR13N20DTRR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 38nC @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
| Característica de FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| relación de capacidades: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
