NVD5807NT4G-VF01
NVD5807NT4G-VF01
Artikelnummer:
NVD5807NT4G-VF01
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
58862 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
NVD5807NT4G-VF01.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:DPAK
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:31 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max):33W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:NVD5807NT4G-ND
NVD5807NT4G-VF01
NVD5807NT4G-VF01TR
NVD5807NT4G-VF01TR-ND
NVD5807NT4GOSTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:603pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):40V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 40V 23A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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