NVD5807NT4G-VF01
NVD5807NT4G-VF01
رقم القطعة:
NVD5807NT4G-VF01
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
58862 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
NVD5807NT4G-VF01.pdf

المقدمة

أفضل سعر NVD5807NT4G-VF01 وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ NVD5807NT4G-VF01 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على NVD5807NT4G-VF01 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:DPAK
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:31 mOhm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):33W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:NVD5807NT4G-ND
NVD5807NT4G-VF01
NVD5807NT4G-VF01TR
NVD5807NT4G-VF01TR-ND
NVD5807NT4GOSTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:4 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:603pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف تفصيلي:N-Channel 40V 23A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات