MUN2213JT1G
MUN2213JT1G
Artikelnummer:
MUN2213JT1G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
41459 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MUN2213JT1G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:SC-59
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):47 kOhms
Widerstand - Basis (R1):47 kOhms
Leistung - max:338mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Basisteilenummer:MUN2213
Email:[email protected]

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