MUN2213JT1G
MUN2213JT1G
部品型番:
MUN2213JT1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
41459 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
MUN2213JT1G.pdf

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規格

状況 New and Original
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配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式:NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:SC-59
シリーズ:-
抵抗器ベース(R2):47 kOhms
抵抗器 - ベース(R1):47 kOhms
電力 - 最大:338mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):80 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
ベース部品番号:MUN2213
Email:[email protected]

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