| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
| Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Technologie: | DRAM |
| Supplier Device-Gehäuse: | 144-µBGA (18.5x11) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 144-TFBGA |
| Andere Namen: | MT49H64M9FM-25E:B TR-ND MT49H64M9FM-25E:BTR |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 576Mb (64M x 9) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | DRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | DRAM Memory IC 576Mb (64M x 9) Parallel 400MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11) |
| Uhrfrequenz: | 400MHz |
| Zugriffszeit: | 15ns |
| Email: | [email protected] |
