| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Technologia: | DRAM |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 144-µBGA (18.5x11) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 144-TFBGA |
| Inne nazwy: | MT49H64M9FM-25E:B TR-ND MT49H64M9FM-25E:BTR |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 576Mb (64M x 9) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | DRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | DRAM Memory IC 576Mb (64M x 9) Parallel 400MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11) |
| Częstotliwość zegara: | 400MHz |
| Czas dostępu: | 15ns |
| Email: | [email protected] |
