MT49H8M36BM-25E:B TR
Artikelnummer:
MT49H8M36BM-25E:B TR
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
55814 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MT49H8M36BM-25E:B TR.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.9 V
Technologie:DRAM
Supplier Device-Gehäuse:144-µBGA (18.5x11)
Serie:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:144-TFBGA
Andere Namen:MT49H8M36BM-25E:B TR-ND
MT49H8M36BM-25E:BTR
Betriebstemperatur:0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:288Mb (8M x 36)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:DRAM Memory IC 288Mb (8M x 36) Parallel 400MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11)
Uhrfrequenz:400MHz
Basisteilenummer:MT49H8M36
Zugriffszeit:15ns
Email:[email protected]

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