FGA40S65SH
FGA40S65SH
Artikelnummer:
FGA40S65SH
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
650V FS GEN3 TRENCH IGBT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
73505 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FGA40S65SH.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:1.81V @ 15V, 40A
Testbedingung:400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:19.2ns/68.8ns
Schaltenergie:194µJ (on), 388µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-3PN
Serie:-
Leistung - max:268W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-3P-3, SC-65-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:Trench Field Stop
Gate-Ladung:73nC
detaillierte Beschreibung:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-3PN
Strom - Collector Pulsed (Icm):120A
Strom - Kollektor (Ic) (max):80A
Email:[email protected]

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