FGA40S65SH
FGA40S65SH
Modelo do Produto:
FGA40S65SH
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
650V FS GEN3 TRENCH IGBT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
73505 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FGA40S65SH.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.81V @ 15V, 40A
Condição de teste:400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:19.2ns/68.8ns
Alternando Energia:194µJ (on), 388µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3PN
Série:-
Power - Max:268W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:73nC
Descrição detalhada:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-3PN
Atual - Collector Pulsada (ICM):120A
Atual - Collector (Ic) (Max):80A
Email:[email protected]

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